MÓDULOS DE MEMORIA KINGSTON KVR1333D3N9/1G EN BUSTAMANTE-NUEVO LEON

Módulos de Memoria Kingston KVR1333D3N9/1G 1GB 1Rx8 128M x 64-Bit PC3-10600 CL9 240-Pin DIMM. Este documento describe los 128M x 64 bits de ValueRAM (1GB) DDR3-1333 CL9 SDRAM (DRAM sincrónica), memoria 1Rx8 módulo, basado en ocho componentes DDR3-1333 FBGA de 128M x 8 bits. El SPD está programado para la latencia estándar JEDEC Tiempo DDR3-1333 de 9-9-9 a 1.5V. Este DIMM de 240 pines utiliza dedos de contacto de oro. Las especificaciones eléctricas y mecánicas son las siguientes: CARACTERISTICAS Fuente de alimentación estándar JEDEC de 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V) 667MHz fCK para 1333Mb / seg / pin 8 bancos internos independientes Latencia programable de CAS: 9, 8, 7, 6 Latencia de aditivo programable: 0, CL - 2 o CL - 1 reloj Latencia de escritura CAS programable (CWL) = 7 (DDR3-1333) prebúsqueda de 8 bits Longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tCCD = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando A12 o MRS] Luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales Calibración interna (auto): auto calibración interna a través de ZQ pin (RZQ: 240 ohmios ± 1%) En la terminación del troquel utilizando un pin ODT Periodo promedio de actualización 7.8us a menos de TCASE 85 ° C, 3.9us a 85 ° C

4.00/5

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