SSD 850EVO | 250GB DS2508 EN LEÓN

Arquitectura 3D V-NAND La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético. Trabaja más rápido gracias a TurboWrite La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1,9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**. * PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) 7.600 (850 EVO) ** Escritura aleatoria (QD32,120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) 88.000 IOPS (850 EVO) Potencia y rendimiento El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutarás del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio. * PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 15.000 (Rapid mode) Resistencia garantizada Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía. * TBW: Bytes totales escritos ** TBW: 43 (840 EVO) 75 (850 EVO 120 / 250 GB),150 (850 EVO 500 / 1 TB) *** Rendimiento constante 250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas. Trabaja por más tiempo Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND. * Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) 2,4 Watt (850 EVO) Protege tus datos con una encriptación más segura La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura. Olvídate del sobrecalentamiento La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo. Componentes de la mayor calidad Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento, bajo consumo con hasta 1 GB de memoria caché LPDDR2 DRAM y la máxima eficiencia energética gracias al controlador MEX / MGX. Artículos Disponibles: 1 ID del Inventario: 253